高温四探针测量系统 - 实现精准导电性能测量

为了更方便地研究高温条件下半导体或绝缘材料的导电性能，佰力博科技开发了HRMS-800G高温四探针测量系统。该系统采用先进的技术，提供以下功能特点：

实现高温、真空、气氛等条件下测量薄膜方块电阻。

支持常温、变温、恒温条件的I-V、R-T、R-t等测量功能。

输入样品的面积和厚度后，软件将自动计算样品的电阻率ρv。

分析电阻率ρv与温度T的变化曲线。

可与Keithley 2400或2600数字多用表配套使用。

针对硅、锗单晶(棒料、晶片)电阻率测量，测定硅外延层、扩散层以及离子注入层的方块电阻，以及测量导电玻璃(ITO)和其他导电薄膜的方块电阻等应用，HRMS-800G是一款专为变温、真空及气氛条件下测试半导体材料电学性能而设计的最佳测量系统。

技术规格

温度范围：室温-600°C

升温斜率：3°C/min (典型值）

显示精度：±0.1°C

控温精度：±1°C

电阻范围：10～106 Ω

电阻率范围：10～106 Ω.cm

方块电阻范围：10～106 Ω/□

可测半导体材料尺寸：薄膜直径Φ15～30mm

探针间距：2±0.01mm

探针压力：0～2kg可调，最大压力约2kg

针间绝缘材料：99陶瓷或红宝石

针间绝缘电阻：≥1000MΩ

探针材料：碳化钨

数据传输：2个USB接口

订购信息

HRMS-800 高温四探针测量系统 Part Number

HRMS-800 测量温度 室温-300°C HRMS8H001

HRMS-800 测量温度 室温-600°C，带真空气氛 HRMS8H002

01测量仪表选件

/A 2400数字源表、USB-GIPB卡及测量电缆 HRMS8H01A

/B 涡旋式干泵 HRMS8H01B