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STM32G071C8U7,ST意法32位MCU优势原装供货

   2023-08-25 17:50 15 0
核心提示:关键词ST意法单片机面向地区全国STM32G071C8U7,ST意法32位MCU优势原装供货RF2L16180CB4180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管功能率和线性增益操作集成静电保护内部匹配,易于使用针对多尔蒂应用进行了优化较大的正负栅极-源极电压范围,可改善 C 类操作
关键词 ST意法单片机 面向地区 全国

STM32G071C8U7,ST意法32位MCU优势原装供货

RF2L16180CB4
180 W、28 V、1.3 至 1.6 GHz 射频功率 LDMOS 晶体管
功能
率和线性增益操作
集成静电保护
内部匹配,易于使用
针对多尔蒂应用进行了优化
较大的正负栅极-源极电压范围,可改善 C 类操作
符合欧洲指令 2002/95/EC
ST其他部分单片机型号:
STM32L476RET6
STM32L4P5CET6
STM32F412CGU6
STM32F303VET6
STM32L151QEH6
STM32F413CGU6
STM32L496RET6
STM32L486RGT6
STM32F446ZCJ6
STM32G474QET6
ST/意法常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,我们只做原装,欢迎合作!

STFH10N60M2
N沟道600 V、0.55 Ohm典型值、7.5 A MDmesh M2功率MOSFET,TO-220FP宽沿面封装
STFU10N80K5
N沟道800 V、0.470 Ohm典型值、9 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-220FP超窄引线封装
这些压 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh™ K5 技术设计,该技术基于创新的专有垂直结构。其结果是显著降低导通电阻和低栅极电荷,适用于需要功率密度和率的应用。
ST意法其他部分单片机型号:
STM32G051K6T6
STM32L031F6P7
STM32L031F4P3
STM32L011K4U6
STM32G031C6T6
STM32G031C8U6
STM32L041F6P7
STM32L011K4T6
STM32G031C8T6
STM32G051C8U6
STM32L021K4T6
STM32L010RBT6
STM32G051C8T6
STM32L041K6U6
STM32L031C6T6
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

STFW2N105K5,N沟道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-3PF封装
STFW45N65M5,N沟道650 V、0.067 Ohm典型值、35 A MDmesh M5功率MOSFET,TO-3PF封装
ST意法其他部分微控制器芯片型号:
STM32G061C8T6
STM32L051R6T6
STM32L052K6T6
STM32L052C6T6
STM32L412KBU6
STM32F301K6T6
STM32L071C8T6
STM32L051C8T7
STM32L051R8T6
STM32L412R8T6
STM32L062K8T6
STM32F302K6U6
STM32L051C8T3
STM32F410CBU6
STM32F410CBT6
ST/意法常用型号备有大量现货,我们只做原装,欢迎合作!

(责任编辑:小编)
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